Түбән Температура Поли-кремний технологиясе LTPS (Түбән Температура поли-Кремний) башта Япония һәм Төньяк Америка технология компанияләре тарафыннан Note-PC дисплейының энергия куллануны киметү һәм Note-PC нечкәрәк һәм җиңелрәк күренү өчен эшләнгән. 1990-нчы еллар уртасында бу технология сынау этабына кертелә башлады. OLED яңа буын органик яктылык чыгаручы панельдән алынган LTPS шулай ук рәсми рәвештә 1998-нче елда кулланыла башлады, аның иң зур өстенлекләре - ультра-нечкә, җиңел авырлык, аз көч куллану, матуррак төсләр һәм аңлаешлы сурәтләр бирә ала.
Түбән температуралы полисиликон
TFT LCDполикристалл кремнийга (Поли-Си ТФТ) һәм аморф кремнийга (a-Si TFT) бүләргә мөмкин, икесенең аермасы төрле транзистор характеристикаларында. Полисиликонның молекуляр төзелеше ашлыкта чиста һәм турыдан-туры урнаштырылган, шулай итеп электрон хәрәкәт аморфик кремнийга караганда 200-300 тапкыр тизрәк. Гомумән алгандаTFT-LCDLCD продуктлары өчен аморфик кремний, җитлеккән технология турында бара. Полисиликон нигездә ике төр продуктны үз эченә ала: югары температуралы полисиликон (HTPS) һәм түбән температуралы полисиликон (LTPS).
Түбән температура поли-кремний; түбән температуралы поли-кремний; LTPS (нечкә пленка транзистор сыек кристалл дисплей) төрү процессында җылылык чыганагы буларак экзимер лазерын куллана. Лазер нуры проекция системасы аша узгач, бердәм энергия тарату белән лазер нуры булачак. аморф кремний структурасының пыяла субстратында ясалырга һәм проекцияләнергә тиеш. Амор кремний структурасының пыяла субстраты экзимер лазер энергиясен үзләштергәннән соң, ул полисиликонга әйләнәчәк. структурасы. Чөнки бөтен процесс 600 at белән тәмамланган, шуңа күрә гомуми пыяла субстрат кулланылырга мөмкин.
Cхарактеристик
LTPS-TFT LCD югары резолюция, тиз реакция тизлеге, югары яктылык, югары ачылу тизлеге һ.б. өстенлекләренә ия, моннан тыш, кремний кристалл аранжировкасыLTPS-TFT LCDa-Si белән тәртиптә, электрон хәрәкәтчәнлеге 100 тапкырга югарырак, һәм периферик йөртү схемасы пыяла субстратында бер үк вакытта ясалырга мөмкин. Система интеграцияләү максатына ирешегез, урынны саклагыз һәм IC бәясен йөртегез.
Шул ук вакытта, IC драйверы панельдә турыдан-туры җитештерелгәнгә, ул компонентның тышкы контактын киметә, ышанычлылыгын арттыра, җиңелрәк хезмәт күрсәтә, җыю процессын кыскартырга һәм EMI характеристикаларын киметергә, аннары кушымта системасы дизайнын киметергә мөмкин. вакыт һәм дизайн иреген киңәйтү.
LTPS-TFT LCD - беренче буын Панельдә системага ирешү өчен иң югары технологияLTPS-TFT LCDresolutionгары резолюциягә һәм югары яктылык эффектына ирешү өчен урнаштырылган драйвер схемасын һәм югары җитештерүчән рәсем транзисторын кулланып, LTPS-TFT LCD һәм A-Si зур аерма ясады.
Икенче буын LTPS-TFT LCD схема технологиясе үсеше аша, аналог интерфейстан санлы интерфейска кадәр, энергия куллануны киметә. Бу буынның оператор хәрәкәте.LTPS-TFT LCDa-Si TFTныкыннан 100 тапкыр, һәм электрод үрнәгенең сызык киңлеге якынча 4μm, бу LTPS-TFT LCD өчен тулысынча кулланылмый.
LTPS-TFT LCDS буынга караганда периферик LSI белән яхшырак интеграцияләнгән. LTPS-TFT LCDS максаты
1) модульне нечкә һәм җиңелрәк итәр өчен, периферик өлешләр юк, һәм өлешләр санын һәм җыю вакытын кыскартырга; (2) Гадиләштерелгән сигнал эшкәртү энергия куллануны киметергә мөмкин; (3) Хәтер белән җиһазландырылган энергия куллануны минимумга кадәр киметергә мөмкин.
LTPS-TFT LCD югары резолюция, югары төс туендыру һәм аз бәянең өстенлекләре аркасында яңа дисплей төренә әйләнер дип көтелә. уртача размерлы панельләр.
Шулай да, p-Si TFT-та ике проблема бар. Беренчедән, TFT-ның сүндерү токы (ягъни агып торган ток) зур (Ioff = nuVdW / L); Икенчедән, p-Si югары хәрәкәт материалын әзерләү кыен. түбән температурада зур мәйдан, һәм процесста билгеле бер кыенлык бар.
Бу технологиянең яңа буыныTFT LCD. LTPS экраннары гадәти аморфик кремнийга (A-Si) TFT-LCD панельләренә лазер процессын өстәп җитештерелә, компонентлар санын 40 процентка киметә һәм өлешләрне 95 процентка тоташтыра, продукт җитешсезлеген киметә. Экран мөһим тәкъдим итә 170 градус горизонталь һәм вертикаль карау почмаклары, 12м җавап вакыты, 500 нит яктылык, һәм 500: 1 контраст коэффициенты белән энергия куллануны һәм ныклыкны яхшырту.
Түбән температуралы p-Si драйверларын интеграцияләүнең өч төп ысулы бар:
Беренчесе - сканерлау һәм мәгълүмат күчерүнең гибрид интеграция режимы, ягъни линия схемасы бергә интеграцияләнгән, күчергеч һәм смена реестры сызык схемасына интеграцияләнгән, һәм берничә адреслы драйвер һәм көчәйткеч тышкы яссы панель дисплейына тоташтырылган. мирас итеп алынган схема белән;
Икенчедән, барлык йөртү схемасы дисплейда тулысынча берләштерелгән;
Өченчедән, машина йөртү һәм контроль схемалар дисплей экранында берләштерелгән.
Шэньчжэнь Д.исенDisplay Technology Co., Ltd.тикшеренүләр һәм эшләнмәләр, дизайн, җитештерү, сату һәм хезмәтне берләштергән югары технологияле предприятия. Ул төп игътибарны сәнәгать дисплей экраннары, сәнәгать сенсор экраннары һәм медицина җиһазларында, сәнәгатьтә киң кулланылган оптик ламинат продуктларын тикшерүгә һәм эшкәртүгә юнәлтә. кул терминаллары, әйберләр интернеты һәм акыллы өй. Бездә R&D бай һәм tft җитештерү тәҗрибәсе барLCD экран, индустриаль дисплей экраны, индустриаль сенсорлы экран, һәм тулысынча туры килә, һәм сәнәгать дисплей индустриясе лидерына карый.
Пост вакыты: 21-2023 март
